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摘要：本公开是关于一种拟合方法，拟合方法包括：基于集成电路仿真模型及其预设配置信息，确定目标器件的第一拟合结果；调整预设配置信息，得到目标配置信息；基于集成电路仿真模型及其目标配置信息，确定目标器件的第二拟合结果；将第二拟合结果以及第一拟合结果中与第二子温度范围对应的部分作为目标拟合结果。通过调整预设配置信息得到目标配置信息，充分考虑载流子冻析效应引起的漏极电流降低现象，使得根据目标配置信息确定的第二拟合结果能够准确描述极低温范围内漏极电流与温度的对应关系，保证了目标拟合结果能够反应目标器件的真实特性，使得目标拟合结果能够作为电路结构设计和优化的依据。
主权项：1.一种拟合方法，其特征在于，所述拟合方法包括：基于集成电路仿真模型及其预设配置信息，确定目标器件的第一拟合结果，所述预设配置信息用于表征所述目标器件的电阻与温度的对应关系，所述第一拟合结果用于表征预设温度范围内所述目标器件的漏极电流与温度的初始拟合对应关系；调整所述预设配置信息，得到目标配置信息，所述目标配置信息用于表征所述目标器件的电阻与温度调整后的对应关系；基于所述集成电路仿真模型及其目标配置信息，确定目标器件的第二拟合结果，所述第二拟合结果用于表征第一子温度范围内所述目标器件的漏极电流与温度的目标拟合对应关系；将所述第二拟合结果以及所述第一拟合结果中与第二子温度范围对应的部分作为目标拟合结果；其中，所述目标器件包括金属氧化物半导体场效应晶体管的轻掺杂漏区，所述预设温度范围包括第一子温度范围和第二子温度范围，所述第一子温度范围的最大值小于或等于所述第二子温度范围的最小值。
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百度查询： 深圳华大九天科技有限公司 一种拟合方法
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