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摘要：本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种增强型氧化镓CAVET器件。本发明在栅极外加电压为零时，电流阻挡层使器件处于关断状态；随着栅电压增加，栅绝缘介质下方的电流阻挡层表面形成电子积累层，连通N+源极区和电流路径区，器件进入正向导通状态。因此，在正向导通时，电流阻挡层降低漂移区表面电子浓度以实现正的阈值电压，电流路径区高电子浓度增强正向电流能力且减小导通电阻。在耐压状态，器件外加反向偏置电压，此时N型氧化镓漂移区和热氧化区耗尽并承担电压，N型氧化镓漂移区与热氧化后低载流子浓度的热氧化区之间形成高低结优化电场分布，同时电流阻挡层在热氧化区上方增强抑制泄漏电流作用，二者共同提高器件耐压。
主权项：1.一种增强型氧化镓CAVET器件，包括沿器件垂直方向自下而上依次层叠设置的漏电极1、N型氧化镓漏区2、N型氧化镓漂移区3；其特征在于，所述N型氧化镓漂移区3的上表面具有热氧化区4，热氧化区4上层两端具有对称的源极结构，源极结构之间为电流路径区6，源极结构包括电流阻挡层5、N+源级区7和第二导电材料10，其中电流阻挡层5与电流路径区6接触，并且电流阻挡层5的结深大于电流路径区6的结深；N+源级区7位于电流阻挡层5上层远离电流路径区6的一端，第二导电材料10位于N+源级区7上层远离电流路径区6的一端，并且第二导电材料10的下端嵌入N+源级区7中；电流路径区6上表面具有绝缘介质8，并且绝缘介质8的两端还分别延伸至与N+源级区7的上表面接触；所述绝缘介质8上表面具有第一导电材料9，并且第一导电材料9和绝缘介质8上表面完全重叠；所述第一导电材料9引出为栅电极，所述第二导电材料10引出为源电极。
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百度查询： 电子科技大学 一种增强型氧化镓CAVET器件
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