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摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制造方法、存储系统。该半导体结构包括：堆叠结构；顶部选择栅极结构，位于所述堆叠结构的表面，包括依次堆叠的半导体层和第一电介质层，且沿第一方向具有第一区域和第二区域，其中所述第一方向垂直于所述顶部选择栅极结构的堆叠方向；多个第一接触结构，分别沿所述堆叠方向穿过所述第一区域的所述第一电介质层并延伸至所述半导体层；以及导电结构，位于所述顶部选择栅极结构远离所述堆叠结构的一侧，且沿所述第一方向延伸，其中所述导电结构通过所述第一接触结构与所述半导体层连接。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：堆叠结构；顶部选择栅极结构，位于所述堆叠结构的表面，包括依次堆叠的半导体层和第一电介质层，且沿第一方向具有第一区域和第二区域，其中所述第一方向垂直于所述顶部选择栅极结构的堆叠方向；多个第一接触结构，分别沿所述堆叠方向穿过所述第一区域的所述第一电介质层并延伸至所述半导体层；以及导电结构，位于所述顶部选择栅极结构远离所述堆叠结构的一侧，且沿所述第一方向延伸，其中所述导电结构通过所述第一接触结构与所述半导体层连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体结构及其制造方法、存储系统
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