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摘要：本发明涉及一种具有梯形凹槽的复合层兰姆波谐振器，属于半导体器件技术领域，包括：由n层压电层层叠而成的压电薄膜；设置于压电薄膜顶部压电层的上电极，每隔m个电极，在压电薄膜顶部压电层上设置有梯形凹槽；设置于压电薄膜底部压电层的下电极，下电极采用平板电极，或是采用数量与上电极相对应下电极来驱动谐振器谐振。本发明设计的复合层兰姆波谐振器可以制备出高薄膜质量的掺钪浓度较高的氮化铝薄膜，同时在压电层没有电极覆盖的部分通过刻蚀形成梯形凹槽，通过调节梯形凹槽的角度来抑制S0模态和S1模态的带外杂散和实现光刻频率可调谐性，以及通过改变梯形凹槽的深度来实现模态转换，以此来实现无杂散模态、高k2eff以及小尺寸的兰姆波谐振器。
主权项：1.一种具有梯形凹槽的复合层兰姆波谐振器，其特征在于，包括：由n层压电层层叠而成的压电薄膜，其中，n≥2；设置于压电薄膜顶部压电层的上表面的上电极，设于压电薄膜顶部压电层的上表面，每隔m个电极，在所述压电薄膜顶部压电层的上表面设有梯形凹槽，其中，m≥1；设置于压电薄膜底部压电层的下表面的下电极，所述下电极采用平板电极，以此来产生电场来驱动谐振器谐振；或是采用数量与上电极相对应下电极来驱动谐振器谐振，此时，所述压电薄膜底部压电层的下表面为平板结构或设置有梯形凹槽，即每隔k个电极，在所述压电薄膜底部压电层的下表面设置有梯形凹槽，其中，k≥1；当所述压电薄膜顶部压电层的上表面和所述压电薄膜底部压电层的下表面均设有梯形凹槽时，设于所述压电薄膜顶部压电层的上表面的梯形凹槽的深度≥设于所述压电薄膜底部压电层的下表面的梯形凹槽的深度。
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百度查询： 上海大学 一种具有梯形凹槽的复合层兰姆波谐振器
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