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摘要：本发明公开了一种基于金属栅的OPC修正方法及系统，属于半导体技术领域，该基于金属栅的OPC修正方法，包括提供待修正版图，获取宽度小于预设值的有源区图形，提取所述有源区图形对应的金属层图形；获取所述金属层图形的NP型离子区边界，对所述NP型离子区边界做一定长度的延伸，形成所需的目标金属层图形，以增大所述有源区图形和所述NP型离子区边界之间的空间；其中，所述目标金属层图形用于在制造中设置金属以形成所述PMOS管的金属栅。通过获取满足规则的有源区，对其金属层图形的边界进行修正，改善PMOS管的MBE效应，提高器件稳定性。
主权项：1.一种基于金属栅的OPC修正方法，其特征在于，用于PMOS管，包括以下步骤：提供待修正版图，获取宽度小于预设值的有源区图形，提取所述有源区图形对应的金属层图形；获取所述金属层图形的NP型离子区边界，对所述NP型离子区边界做一定长度的延伸，形成所需的目标金属层图形，以增大所述有源区图形和所述NP型离子区边界之间的空间；其中，所述目标金属层图形用于在制造中设置金属以形成所述PMOS管的金属栅。
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百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 基于金属栅的OPC修正方法及系统
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