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摘要：一种PIN二极管及其形成方法、静电保护结构，其中所述PIN二极管，包括位于所述基底上的依次层叠的至少两层堆叠结构，每一层堆叠结构均包括：第一半导体层，所述第一半导体层中掺杂有第一类型的掺杂离子；位于所述第一半导体层上的第一本征层；位于所述第一本征层上的第二半导体层，所述第二半导体层中掺杂有第二类型的掺杂离子，第一类型与第二类型不同；位于第二半导体层上的第二本征层。使得相同的基底面积上使得形成的PIN二极管具有更大的结面积，使得结散热与导流能力有效增强，同时降低寄生电容。
主权项：1.一种PIN二极管的形成方法，其特征在于，应用于静电保护电路，包括：提供基底；在所述基底上形成第一半导体层，所述第一半导体层中掺杂有第一类型的掺杂离子；在所述第一半导体层上形成第一本征层；在所述第一本征层上形成第二半导体层，所述第二半导体层中掺杂有第二类型的掺杂离子，所述第一类型的掺杂离子与所述第二类型的掺杂离子的类型不同；在所述第二半导体层上形成第二本征层；在所述第二本征层表面上重复进行依次形成所述第一半导体层、所述第一本征层、所述第二半导体层和所述第二本征层的步骤；所述第一本征层和所述第二本征层中晶粒的尺寸小于0.4um。
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