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摘要：提供了一种相对于掩模选择性地蚀刻硅、硅锗、碳和锗中的至少一者的经掺杂或未经掺杂的材料的蚀刻层中的至少一个特征的方法。同时相对于掩模选择性地蚀刻蚀刻层中的至少一个特征并选择性地沉积沉积层通过以下方式提供：提供包含含有类金属或金属的前体和含有卤素或氧的组分的蚀刻气体，使蚀刻气体形成等离子体，以及将蚀刻层暴露于等离子体，以同时相对于掩模选择性地蚀刻蚀刻层中的至少一个特征，并相对于蚀刻层在掩模上方选择性地沉积含有类金属或金属的材料的沉积层。
主权项：1.一种相对于掩模选择性地蚀刻硅、硅锗、碳和锗中的至少一者的经掺杂或未经掺杂的材料的蚀刻层中的至少一个特征的方法，其包括：同时相对于所述掩模选择性地蚀刻所述蚀刻层中的至少一个特征和选择性地沉积沉积层，包括：提供包含含有类金属或金属的前体和含有卤素或氧的组分的蚀刻气体；使所述蚀刻气体形成为等离子体；以及使所述蚀刻层暴露于所述等离子体，以同时相对于所述掩模选择性地蚀刻所述蚀刻层中的至少一个特征和相对于所述蚀刻层在所述掩模上方选择性地沉积含有类金属或金属的材料的沉积层。
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