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申请/专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司
申请日：2023-07-11
公开（公告）日：2025-01-17
公开（公告）号：CN119324153A
专利技术分类：......气体或蒸气的沉积，例如冷凝[2006.01]
专利摘要：本申请公开了一种功函数层制备方法及MOS管，属于半导体集成电路领域，该方法包括：在沉积多个P型功函数层的过程中，通入含氧原子的气体将所述氧原子插入所述P型功函数层，在不含所述氧原子的所述P型功函数层之间形成含氧原子P型功函数层，以形成第一功函数层；在所述第一功函数层表面沉积含金属的N型功函数层，形成第二功函数层，以制成功函数层。本申请在沉积P型功函数层的过程中，增加氧化工艺，在保证不会对P型功函数层过氧化的同时，能够插入氧原子破坏P型功函数层的柱状生长和减少开放的晶界，从而有效的阻止的金属的扩散；含氧原子P型功函数层的功函数与P型功函数层的功函数相似，能消除对P型功函数层的阈值电压的影响。
专利权项：1.一种功函数层制备方法，其特征在于，包括：在沉积多个P型功函数层的过程中，通入含氧原子的气体将所述氧原子插入所述P型功函数层，在不含所述氧原子的所述P型功函数层之间形成含氧原子P型功函数层，以形成第一功函数层；在所述第一功函数层表面沉积含金属的N型功函数层，形成第二功函数层，以制成功函数层。
百度查询： 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 一种功函数层制备方法及MOS管
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