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最新专利技术
  • 到网络接口设备的代理卸载
    到网络接口设备的代理卸载_英特尔公司_202311845422.4
    本公开涉及到网络接口设备的代理卸载。本文描述的示例涉及一种用于将用于微服务到微服务通信的代理卸载到网络接口设备的系统。在一些示例中，该系统包括主机接口和网络接口设备电路，该网络接口设备电路包括耦合到主机接口的电路。在一些示例中，该电路被配置...
    2024-11-19
  • 液晶取向剂、液晶取向膜及液晶取向膜的制造方法、液晶元件、聚合物以及二胺
    液晶取向剂、液晶取向膜及液晶取向膜的制造方法、液晶元件、聚合物以及二胺_JSR株式会社_202410236770.X
    本发明提供一种可获得液晶取向性、耐薄化性、耐振动性及密封密接性良好的液晶元件的液晶取向剂、液晶取向膜及液晶取向膜的制造方法、液晶元件、聚合物以及二胺。制成一种液晶取向剂，其含有聚合物[P]，所述聚合物[P]包含结构单元(U1)以及结构单元(...
    2024-11-19
  • 投影机光阀角度动态调整装置
    投影机光阀角度动态调整装置_扬明光学股份有限公司_202410230791.0
    一种投影机光阀角度动态调整装置，包括光阀、承载座、第一外框、第二外框、第一致动器及第二致动器。光阀设在承载座上，承载座以一对第一轴与第一外框连结，且第一外框以一对第二轴与第二外框连结。第一致动器的第一部分设在承载座上，第二致动器的第一部分设...
    2024-11-19
  • 图案设计方法及模板的制造方法
    图案设计方法及模板的制造方法_铠侠股份有限公司_202410226545.8
    实施方式涉及一种图案设计方法及模板的制造方法。实施方式的压印方法是模板的图案设计方法，该模板具备具有器件图案及虚设图案的图案面。实施方式的压印方法将所述图案面的外周部沿周向分成多个小区域，基于所述器件图案的信息，于所述外周部配置所述虚设图案...
    2024-11-19
  • 使用电容传感器进行的噪声测量
    使用电容传感器进行的噪声测量_瑟克公司_202410218364.0
    本公开涉及使用电容传感器进行的噪声测量。使用电容传感器可以包括：通过将第一信号施加到电容传感器来进行第一噪声测量，第一信号具有第一频率；通过将第二信号施加到电容传感器来进行第二噪声测量，第二信号具有不同于第一频率的第二频率；确定第一噪声测量...
    2024-11-19
  • 车辆转向系统
    车辆转向系统_本田技研工业株式会社_202410213283.1
    本发明涉及一种车辆转向系统。所述车辆转向系统包括：转向操作构件，所述转向操作构件被配置为接收转向操作；电容传感器，所述电容传感器设置在所述转向操作构件中；控制器，所述控制器被配置为在所述电容传感器的电容等于或大于第一阈值的情况下确定驾驶员正...
    2024-11-19
  • 快闪存储器控制器的控制方法、快闪存储器控制器以及储存装置
    快闪存储器控制器的控制方法、快闪存储器控制器以及储存装置_慧荣科技股份有限公司_202410213661.6
    本发明涉及一种快闪存储器控制器的控制方法、快闪有点像吧顺控制器以及储存装置。该控制方法包含有：自一主机装置接收一设置命令；因应设置命令，将一快闪存储器模块的至少一部分配置为一分区命名空间，其中分区命名空间逻辑上包含有多个区域；根据分区命名空...
    2024-11-19
  • 开关装置及硬盘装置
    开关装置及硬盘装置_罗姆股份有限公司_202410212540.X
    本揭露涉及一种开关装置及硬盘装置。本揭露提供一种能够减小设置在开关元件周边的元件的布局尺寸的开关装置。本揭露的开关装置构成为具备：开关元件，具有栅极、漏极、源极及背栅，在所述漏极与所述背栅极之间形成第1体二极管，在所述源极与所述背栅之间形成...
    2024-11-19
  • 开关装置
    开关装置_罗姆股份有限公司_202410212245.4
    本揭露提供一种能够削减外置零件的开关装置。本揭露的开关装置具备：开关元件，具有能施加输入电压的第1端、能施加输出电压的第2端、及控制端；DA转换器；及输出电压控制部，具有所述开关元件，且构成为控制所述输出电压；且所述输出电压控制部根据所述D...
    2024-11-19
  • 车辆用照明装置及照明装置
    车辆用照明装置及照明装置_本田技研工业株式会社_202410207701.6
    本发明提供一种车辆用照明装置及照明装置。车辆用照明装置在通过识别部识别为行人可能存在于行进路径上的情况下，且通过检测部检测为驾驶员正在识别行人的情况下，使外部灯成为第一点亮及第一熄灭中的任一个状态，在通过识别部识别为行人可能存在于行进路径上...
    2024-11-19
  • 电荷捕捉式非易失性存储器的存储晶体管
    电荷捕捉式非易失性存储器的存储晶体管_力旺电子股份有限公司_202410208364.2
    本发明公开一种电荷捕捉式非易失性存储器的存储晶体管，该存储晶体管包括：一半导体基板、一阱区、一栅极结构、一间隙壁、一第一掺杂区与一第二掺杂区。阱区形成于半导体基板的表面。第一掺杂区与一第二掺杂区形成于阱区内。栅极结构包括：一第一隧穿层、一第...
    2024-11-19
  • 锂二次电池用正极活性物质、锂二次电池以及锂二次电池用正极活性物质的制造方法
    锂二次电池用正极活性物质、锂二次电池以及锂二次电池用正极活性物质的制造方法_本田技研工业株式会社_202410206791.7
    本发明的课题在于提供一种不使用有资源风险且昂贵的钴、对于镍也尽可能降低使用量且具有优异的电化学特性的正极活性物质。为此，本发明的锂二次电池用正极活性物质以锂过渡金属复合氧化物为主成分，所述锂过渡金属复合氧化物是具有由锂层和过渡金属‑锂层形成...
    2024-11-19
  • L-赖氨酸生产能力得到提高的变异微生物及利用其的L-赖氨酸的生产方法
    L-赖氨酸生产能力得到提高的变异微生物及利用其的L-赖氨酸的生产方法_大象株式会社_202410204003.0
    本发明涉及L‑赖氨酸生产能力得到提高的变异微生物及利用其的L‑赖氨酸的生产方法，上述变异微生物通过由Ncgl0222基因编码的蛋白质的活性弱化或失活，从而与亲本菌株相比，L‑赖氨酸的生产收率提高。
    2024-11-19
  • L-赖氨酸生产能力得到提高的变异微生物及利用其的L-赖氨酸的生产方法
    L-赖氨酸生产能力得到提高的变异微生物及利用其的L-赖氨酸的生产方法_大象株式会社_202410203510.2
    本发明涉及NCgl2101基因变体及利用其的L‑赖氨酸的生产方法，上述NCgl2101基因变体通过NCgl2101基因的碱基序列中的一个以上的碱基变异，从而由NCgl2101基因编码的蛋白质活性改变，可以有效地由包含上述基因变体的重组微生物...
    2024-11-19
  • L-赖氨酸生产能力得到提高的变异微生物及利用其的L-赖氨酸的生产方法
    L-赖氨酸生产能力得到提高的变异微生物及利用其的L-赖氨酸的生产方法_大象株式会社_202410203599.2
    本发明涉及NCgl2186基因变体及利用其的L‑赖氨酸的生产方法，上述NCgl2186基因变体通过NCgl2186基因的碱基序列中的一个以上的碱基变异，从而由NCgl2186基因编码的蛋白质的活性改变，可以有效地由包含上述基因变体的重组微生...
    2024-11-19
  • 热交换器用蜂窝结构体及热交换器
    热交换器用蜂窝结构体及热交换器_日本碍子株式会社_202410202444.7
    本发明提供一种能够在抑制压力损失的同时增加热回收量的热交换器用蜂窝结构体及热交换器。本发明的热交换器用蜂窝结构体(10)具有内周壁(11)、外周壁(12)以及隔壁(15)，该隔壁(15)配设于内周壁(11)与外周壁(12)之间并划分形成从第...
    2024-11-19
  • 模型设定支援装置、模型设定支援方法及存储介质
    模型设定支援装置、模型设定支援方法及存储介质_本田技研工业株式会社_202410204794.7
    能促进更恰当的模型的设定的模型设定支援装置、模型设定支援方法及存储介质。模型设定支援装置具有多个学习模型，学习模型能根据至少包括表示产品的材料或设计事项的多种说明变量在内的说明变量群，推定表示产品的性能的目的变量，模型设定支援装置具备：模型...
    2024-11-19
  • 设计支援装置、设计支援方法及存储介质
    设计支援装置、设计支援方法及存储介质_本田技研工业株式会社_202410204795.1
    提供一种能够支援产品设计的最优化的设计支援装置、设计支援方法及存储介质。设计支援装置具备：性能预测部，其使用机器学习模型，根据包含产品的多个设计因素在内的设计因素群来预测产品的多个性能；以及生成部，其基于所预测的多个性能的综合评价，生成产品...
    2024-11-19
  • 半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法
    半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202410201369.2
    本发明提供一种能够实现电气特性提高的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。所述装置具有第1积层体、第1分离部、第2积层体、第3积层体及位线。第1积层体中，多个第1绝缘膜与多个第1导电膜在第1方向交替地积层。第1分离部在与第1方向交叉的第...
    2024-11-19
  • 半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法
    半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202410201400.2
    本发明提供可抑制因触点与柱的接触所导致的触点形成不良的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。所述装置具备：积层体，具有交替积层的多个导电层与多个第1绝缘层且包含第1、2区域；1个以上的第1柱，在第1区域内在积层体的积层方向延伸；及第2柱...
    2024-11-19
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