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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明公开了一种npn型InGaAsInP双异质结双极性晶体管DHBT外延层结构，该DHBT结构包括依次相邻接的发射极、基极和集电极，所述集电极从靠近基极向远离基极的方向依次包括n型InGaAs退后层、n型InGaAsP过渡层、n型InP重掺杂层、n型InP层和n型集电极接触层。利用本发明，可避免载流子在超晶格结构中隧穿对运动速度的降低，能提高DHBT的频率特性，消除了InGaAs基极和InP集电极所形成的导带尖峰。
主权项：一种npn型InGaAsInP双异质结双极性晶体管DHBT外延层结构，该DHBT外延层结构包括依次相邻接的发射极、基极和集电极，其特征在于：所述集电极从靠近基极向远离基极的方向依次包括n型InGaAs退后层、n型InGaAsP过渡层、n型InP重掺杂层、n型InP层和n型集电极接触层；其中，所述发射极采用n型InP材料，所述基极采用p型InGaAs材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 npn型InGaAs/InP DHBT外延层结构
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