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申请/专利权人：日立金属株式会社
申请日：2016-07-26
公开（公告）日：2018-03-27
公开（公告）号：CN107849689A
专利技术分类：..溅射[2006.01]
专利摘要：提供用以抑制溅射时栅极电极的污染，且形成获得稳定的薄膜晶体管特性的栅极电极的靶材。本发明是一种如下的靶材，其是含有合计50原子％以下的选自由W、Nb、Ta、Ni、Ti、Cr所组成的群组的一种或两种以上的元素M，剩余部分包含Mo及不可避免的杂质的靶材，不可避免的杂质之一的K为0.4质量ppm～20.0质量ppm，且优选为含有10原子％～50原子％的W作为所述元素M。
专利权项：一种靶材，其是含有合计50原子％以下的选自由W、Nb、Ta、Ni、Ti、Cr所组成的群组的一种或两种以上的元素M，剩余部分包含Mo及不可避免的杂质的靶材，其特征在于：所述不可避免的杂质之一的K为0.4质量ppm～20.0质量ppm。
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