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申请/专利权人：无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
申请日：2011-06-02
公开（公告）日：2012-03-07
公开（公告）号：CN202157111U
专利技术分类：..金属材料、硼或硅[2006.01]
专利摘要：本实用新型公开了一种靶材，该靶材包括：靶材本体；设置在靶材本体上的预设位置处的凸起。本实用新型所提供的靶材，由于在靶材本体的预设位置处设置有凸起，所述凸起可增加预设位置处的厚度，所述预设位置对应在溅射过程中受高能量粒子撞击比较严重的位置，因此，在预设位置处设置凸起可延长所述预设位置处的靶材承受高能量粒子撞击的时间，使得此处不会轻易被撞击形成凹坑，进而可延长该靶材的使用寿命。除此之外，该靶材在寿命耗尽时，其上剩余的靶材材料较少，进而避免了靶材材料的浪费，节省了工艺成本。
专利权项：一种靶材，其特征在于，包括：靶材本体；设置在靶材本体上的预设位置处的凸起。
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