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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明提供鳍状结构的制备方法，包括步骤：自衬底外延形成第一高迁移率材料层，或，依次外延应变缓冲层和第一高迁移率材料层以形成叠层；自顶层向下形成若干鳍状结构；淀积氧化介质层并进行第一次平坦化处理；选择性去除至少一个鳍状结构以形成至少一个凹槽；选择性外延第二高迁移率材料后进行第二次平坦化处理以在凹槽中形成第二外延结构；选择性去除至少一个鳍状结构和或第二外延结构以形成至少一个凹槽；选择性外延第三高迁移率材料后进行第三次平坦化处理，在凹槽中形成第三外延结构；依次形成第n外延结构；腐蚀氧化介质层，使鳍状结构、第二外延结构、第三外延结构和第n外延结构露头。本发明还提供半导体器件的制备方法。
主权项：1.一种鳍状结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S100、提供衬底，自所述衬底的顶层外延第一高迁移率材料以形成第一高迁移率材料层，或，依次外延应变缓冲层和所述第一高迁移率材料层以形成叠层；S101、自所述第一高迁移率材料层的顶层向下光刻刻蚀形成若干鳍状结构；S102、在已形成的结构上淀积氧化介质层，并进行第一次平坦化处理；S103、选择性去除至少一个所述鳍状结构，以形成至少一个凹槽；S104、在已形成的结构上选择性外延第二高迁移率材料后进行第二次平坦化处理，以在所述凹槽中形成第二外延结构；所述第二高迁移率材料与所述第一高迁移率材料不同，或所述第二高迁移率材料与所述第一高迁移率材料相同但成分不同；S105、选择性去除至少一个所述鳍状结构和或所述第二外延结构，以形成至少一个所述凹槽；S106、在已形成的结构上选择性外延第三高迁移率材料后进行第三次平坦化处理，以在所述凹槽中形成第三外延结构；所述第三高迁移率材料与所述第一高迁移率材料、第二高迁移率材料不同，或所述第三高迁移率材料与所述第一高迁移率材料或第二高迁移率材料相同但成分不同；S107、重复所述步骤S105和S106，依次形成第n外延结构，其中n为大于3的正整数；所述第n外延结构的材料与第n-1外延结构的材料不同，或材料相同但成分不同；S108、腐蚀所述氧化介质层，使所述鳍状结构、第二外延结构、第三外延结构和第n外延结构露头。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种鳍状结构及半导体器件的制备方法
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