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申请/专利权人：矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
摘要：公开了一种制造沟槽MOSFET的方法。包括：在半导体基底中形成从上表面延伸至其内部的沟槽；形成覆盖所述沟槽的侧壁、所述沟槽的底部以及所述半导体基底的上表面的第一绝缘层；在所述沟槽中形成覆盖所述沟槽的底部和下部侧壁的屏蔽导体，所述第一绝缘层将所述屏蔽导体与所述半导体基底隔开；形成覆盖所述屏蔽导体顶部的第二绝缘层，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层共形形成介质层；去除位于所述半导体基底的上表面的介质层和位于所述沟槽上部侧壁的介质层，使得保留的所述介质层的上表面高于所述屏蔽导体的上表面。本发明简化现有技术中形成沟槽MOSFET的工艺步骤，从而降低生产成本。
主权项：1.一种制造沟槽MOSFET的方法，包括：在半导体基底中形成从上表面延伸至其内部的沟槽；形成覆盖所述沟槽的侧壁、所述沟槽的底部以及所述半导体基底的上表面的第一绝缘层；在所述沟槽中形成覆盖所述沟槽的底部和下部侧壁的屏蔽导体，所述第一绝缘层将所述屏蔽导体与所述半导体基底隔开；形成覆盖所述屏蔽导体顶部的第二绝缘层，所述第一绝缘层将所述第二绝缘层与所述半导体基底隔开，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层共形形成介质层；去除位于所述半导体基底的上表面的介质层和位于所述沟槽上部侧壁的介质层，使得保留的所述介质层的上表面高于所述屏蔽导体的上表面；在所述沟槽的上部形成栅介质层和栅极导体，所述栅介质层位于所述沟槽的上部侧壁，且将所述栅极导体与所述半导体基底隔开；形成体区、源区以及漏极电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 沟槽型MOSFET结构及其制造方法
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