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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构的形成方法，包括：提供一基底；形成介电层于所述基底上，所述介电层中具有沟槽；形成阻碍层于所述介电层及所述沟槽表面；形成扩散阻挡层于所述阻碍层上；形成第一钨种子层于所述扩散阻挡层上；形成第二钨种子层于所述第一钨种子层上；及形成金属钨块材于所述第二钨种子层上；其中，所述第一钨种子层不含硼，所述第二钨种子层含硼。采用本发明的方法可有效解决现有技术中采用硼烷作为前驱体沉积形成的钨薄膜在后续CMP过程中易剥离的问题。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，包括：提供一基底；形成介电层于所述基底上，所述介电层中具有沟槽；形成阻碍层于所述介电层及所述沟槽表面；形成扩散阻挡层于所述阻碍层上；形成第一钨种子层于所述扩散阻挡层上；形成第二钨种子层于所述第一钨种子层上；及形成金属钨块材于所述第二钨种子层上；其中，所述第一钨种子层不含硼，所述第二钨种子层含硼。
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权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其形成方法
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