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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明提供一种在氮化钛生成工艺中去除氧化硅的方法，该方法包括步骤S1：提供一接触窗，接触窗包括设置在接触窗底部的硅衬底及设置在接触窗两侧的介电层，在硅衬底上沉积一层接触金属层，接触金属层的材料包括钴、镍或钛中的一种或一种以上；步骤S2：将接触金属层转化为硅化金属层，硅化金属层的材料包括硅化钴、硅化镍或硅化钛中的一种或一种以上；步骤S3：于硅化金属层表面通入氨气，还原在硅化金属层表面自然氧化形成的氧化硅层；步骤S4：于硅化金属层表面及氧化物层表面沉积形成一层阻挡层。本发明降低了接触窗的接触电阻，大幅度提高了产品良率。
主权项：1.一种在氮化钛生成工艺中去除氧化硅的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：提供一接触窗，所述接触窗包括设置在所述接触窗底部的硅衬底及设置在所述接触窗两侧的介电层，在所述接触窗底部且在所述硅衬底上沉积一层接触金属层，所述接触金属层的材料包括钴、镍及钛中的一种或一种以上；步骤S2：将所述接触金属层转化为硅化金属层，所述硅化金属层的材料包括硅化钴、硅化镍及硅化钛中的一种或一种以上；步骤S3：在一沉积室中，于所述硅化金属层表面通入氨气，对所述硅化金属层表面自然氧化形成的氧化硅层进行还原；步骤S4：在同一所述沉积室中，于所述硅化金属层表面及所述介电层表面沉积形成一层阻挡层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 在氮化钛生成工艺中去除氧化硅的方法
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