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申请/专利权人：西安微电子技术研究所
摘要：本发明提供一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路及方法，用于解决现有星载计算机PROM程序区单比特数据错误的问题，降低空间环境单粒子翻转的风险，提高产品的可靠性。包括集成有EDAC纠检错功能的处理器、SRAM数据存储区和PROM程序存储校验区；其中，SRAM数据存储区包括用于存储数据的第一SRAM和用于存储SRAM区EDAC码的第二SRAM，PROM程序存储校验区包括多片用于存储程序的PROM以及用于存储程序区EDAC校验码的PROM；处理器的数据总线接用于存储程序的PROM，处理器的EDAC总线接用于存储程序区EDAC校验码的PROM。
主权项：1.一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路，其特征在于，包括集成有EDAC纠检错功能的处理器1、SRAM数据存储区和PROM程序存储校验区；其中，所述SRAM数据存储区包括用于存储数据的第一SRAM3和用于存储SRAM区EDAC码的第二SRAM4，所述PROM程序存储校验区包括多片用于存储程序的PROM以及用于存储程序区EDAC校验码的PROM；所述处理器1的地址总线A[2:20]通过驱动器2分别接第一SRAM3和第二SRAM4的地址线A[0:18]，所述处理器1的地址总线A[2:16]通过驱动器2分别接PROM存储器的地址线A[0:14]；所述处理器1的数据总线接用于存储程序的PROM，所述处理器1的EDAC总线接用于存储程序区EDAC校验码的PROM。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安微电子技术研究所 一种PROM程序存储区扩展EDAC校验电路及方法
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