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申请/专利权人：西安微电子技术研究所
摘要：本发明公开了一种外扩Flash程序存储区扩展EDAC校验电路及读写方法，处理器接口与外扩FLASH中间增加总线驱动器、与门、或门以及非门用于实现对外扩FLASH2的读写操作；数据线D[0:7]和校验位PD[0:7]通过总线驱动器与FLASH的数据线连接，为防止数据线冲突，通过GPIO5、GPIO6以及与门、或门和非门组合逻辑来控制总线驱动器的OE使能端来选通；可应用于空间计算机小型化SIP模块内部FLASH外扩EDAC功能，该功能可有效提高FLASH作为程序存储区空间抗单粒子翻转能力，在满足整机功能性能的前提下，大幅度提高FLASH作为程序存储区在空间环境的抗单粒子翻转能力，并提高整机的可靠性，而且满足空间计算机设计标准化、小型化、国产化的需求。
主权项：1.一种外扩Flash程序存储区扩展EDAC校验电路，其特征在于，包括处理器1和外扩FLASH2，外扩FLASH2用于存放EDAC码；外扩FLASH2的数据线通过总线驱动器3连接数据线D[0:7]和校验位PD[0:7]，ROMCS0和第一或门5的输出端接第一与门4的输入端，第一与门4的输出端分别接处理器1的FLASHCS和外扩FLASH2的CE；RAMCS1和GPIO6接第一或门5的输入端，第一或门5的输出端分别接第一与门4的输入端、第二或门7的输入端和第二与门8的输入端；GPIO5和第一或门5的输出端接第二或门7的输入端，第二或门7的输出端接总线驱动器3的1OE；GPIO5接非门6的输入端，非门6的输出端和第二与门8的输出端接第三或门9的输入端，第三或门9的输出端接总线驱动器3的2OE；第一或门5的输出端和ROMCS0接第二与门8的输入端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安微电子技术研究所 一种外扩Flash程序存储区扩展EDAC校验电路及读写方法
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