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申请/专利权人：广州源井生物科技有限公司
摘要：本发明公开了一种提高HepG2细胞克隆形成率的单克隆增强培养基和方法，涉及HepG2细胞克隆技术领域。单克隆增强培养基的组分包括RPMI‑1640培养基、DMEM培养基、胎牛血清、肝细胞生长因子和胰岛素样生长因子‑1；提高HepG2细胞克隆形成率的方法如下：将HepG2细胞依次进行原代培养和传代培养后，采用有限稀释法制备单克隆，且在培养至24～48h后，将基础培养基更换为单克隆增强培养基，继续培养形成单克隆。使用本发明的单克隆增强培养基，HepG2细胞的单克隆形成率显著提高，这一发明解决了常规培养条件下HepG2细胞的单克隆形成率较低的问题。
主权项：1.一种提高HepG2细胞克隆形成率的单克隆增强培养基，其特征在于，所述单克隆增强培养基的组分由RPMI-1640培养基、DMEM培养基、胎牛血清、肝细胞生长因子和胰岛素样生长因子-1组成；按照总原料的体积百分比计算，所述胎牛血清的添加量为10%；所述肝细胞生长因子的添加量为1~10ngmL，所述胰岛素样生长因子-1的添加量为1~10ngmL；所述RPMI-1640培养基与DMEM培养基的体积比为1：1。
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