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申请/专利权人：燕山大学
摘要：本发明属于层状磁性纳米材料制备的技术领域,提供了一种二维FexGaTex＝2‑5磁性晶体的制备方法，该方法包括以下步骤：Fe源置于第一刚玉舟内设置在多温区管式炉的第一温区，Ga源和Te源置于第二刚玉舟内设置在多温区管式炉的第二温区，在位于所述第二温区的基底上通过化学气相沉积法制备所述二维FexGaTex＝2‑5磁性晶体，其中，反应过程中，所述第一温区的温度为400～700℃；所述第二温区的温度为500～900℃；所述多温区管式炉内的气体压强为10～100kPa。本发明开发了化学气相沉积方法一步法合成层数可控的居里温度在室温以上的二维FexGaTe2x＝2‑5磁性晶体，合成时间在2小时以内。此技术具有耗时短、操作简单、厚度可控等优点。
主权项：1.一种二维FexGaTex＝2-5磁性晶体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：Fe源置于第一刚玉舟内设置在多温区管式炉的第一温区，Ga源和Te源置于第二刚玉舟内设置在多温区管式炉的第二温区，在位于所述第二温区的基底上通过化学气相沉积法制备所述二维FexGaTex＝2-5磁性晶体，其中，反应过程中，所述第一温区的温度为400～700℃；所述第二温区的温度为500～900℃；所述多温区管式炉内的气体压强为10～100kPa。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 燕山大学 一种二维FexGaTe(x=2-5)磁性晶体的制备方法
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