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摘要：提供用于形成诸如FinFET的半导体器件的方法。在一个实施方式中，用于形成FinFET器件的方法包含移除多个鳍片中的每个鳍片的一部分，且每个鳍片的剩余部分从介电表面凹陷。方法进一步包含在每个鳍片的剩余部分上形成特征，利用介电材料填充在相邻特征之间形成的间隙，移除特征，和在每个鳍片的剩余部分上形成填充材料。因为特征的形状受控制，所以可控制填充材料的形状。
主权项：1.一种方法，包括：在半导体基板上执行预清洗工艺以移除所述半导体基板的表面上的原生氧化物，所述半导体基板的所述表面包括多个暴露的部分和多个覆盖的部分，其中所述多个覆盖的部分上形成有第一介电材料；在所述表面的所述多个暴露的部分上形成多个特征；在所述多个特征的相邻特征之间形成第二介电材料，其中所述第二介电材料与所述多个特征共平面；在所述第二介电材料中形成多个开口；及在所述多个开口中沉积金属材料以形成多个接触。
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