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申请/专利权人：燕山大学
摘要：一种Fe3GaTe2晶体、金属掺杂Fe3GaTe2晶体及其生长方法，属于晶体材料生长技术领域。本发明金属掺杂Fe3GaTe2晶体生长方法：1、称取还原Fe粉、金属粉、Ga块、Te粉；2、将Te粉、Ga块、金属粉和还原Fe粉依次送至高纯石英管底部，在氩气保护条件下进行真空密封；3、将真空密封的石英管倾斜一定角度并水平置于马弗炉中，石英管尖端靠近炉门位置，装有原料的石英管底端位于马弗炉热电偶下方；4、设置马弗炉烧结程序，最后自然冷却至室温，获得金属掺杂Fe3GaTe2晶体。本发明通过控制温度梯度调节可逆反应的平衡，为晶体形核生长提供驱动力，同时抑制二元相及其他杂相的提前析出，得到合适的单晶样品。
主权项：1.一种金属掺杂Fe3GaTe2晶体的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：1原料配比：称取还原Fe粉、金属粉、Ga块、Te粉；2真空密封：将Te粉、Ga块、金属粉和还原Fe粉依次送至高纯石英管底部，在氩气保护条件下进行真空密封；3调整位置：将步骤2得到的真空密封的石英管倾斜角度并水平置于马弗炉中，石英管尖端靠近炉门位置，装有原料的石英管底端位于马弗炉热电偶下方；4梯度烧结：设置马弗炉梯度烧结程序，最后自然冷却至室温，获得金属掺杂Fe3GaTe2晶体。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 燕山大学 一种Fe3GaTe2晶体、金属掺杂Fe3GaTe2晶体及其生长方法
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