龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：提供了一种半导体器件及半导体器件的制造方法。所述半导体器件包括：基底，具有单元区域和外围区域；单元栅极结构，设置在单元区域上；第一杂质区域和第二杂质区域，在单元区域中分别布置在单元栅极结构的第一侧和第二侧上；位线结构，设置在单元栅极结构上并且连接到第一杂质区域；外围栅极结构，设置在外围区域上；外围盖层，设置在外围区域上，覆盖外围栅极结构，并且具有与位线结构的上端在基本上同一水平处的上表面；以及单元接触结构，设置在第二杂质区域上，并且具有导电阻挡件和位于导电阻挡件上的接触材料层，其中，导电阻挡件覆盖位线结构的上端。
主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：基底，包括单元区域和外围区域；单元栅极结构，设置在所述单元区域上；第一杂质区域和第二杂质区域，在所述单元区域中分别布置在所述单元栅极结构的第一侧和第二侧上；位线结构，设置在所述单元栅极结构上并且连接到所述第一杂质区域；外围栅极结构，设置在所述外围区域上；外围盖层，设置在所述外围区域上，覆盖所述外围栅极结构，并且具有与所述位线结构的上端在基本上同一水平处的上表面；以及单元接触结构，设置在所述第二杂质区域上，并且具有导电阻挡件和位于所述导电阻挡件上的接触材料层，其中，所述导电阻挡件覆盖所述位线结构的所述上端。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件及半导体器件的制造方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号