买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：蒙娜丽莎集团股份有限公司

摘要：本发明涉及一种低膨胀堇青石晶体耐磨全抛釉陶瓷砖及其制备方法。所述低膨胀堇青石晶体耐磨全抛釉陶瓷砖的制备方法包括以下步骤：在砖坯表面施加面釉；在施加面釉后的砖坯表面喷墨打印图案；在喷墨打印图案后的砖坯表面施第一道低膨胀耐磨全抛釉；在施第一道低膨胀耐磨全抛釉的坯体表面施第二道低膨胀耐磨全抛釉；烧成，得到所述低膨胀堇青石晶体耐磨全抛釉陶瓷砖。

主权项：1.一种低膨胀堇青石晶体耐磨全抛釉陶瓷砖的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：在砖坯表面施加面釉；在施加面釉后的砖坯表面喷墨打印图案；在喷墨打印图案后的砖坯表面施第一道低膨胀耐磨全抛釉；在施第一道低膨胀耐磨全抛釉的坯体表面施第二道低膨胀耐磨全抛釉；烧成，得到所述低膨胀堇青石晶体耐磨全抛釉陶瓷砖；所述砖坯的原料化学组成包括：以质量百分比计，IL：4-6%、SiO2：45-50%、Al2O3：25-32%、Fe2O3：0.1-0.5%、TiO2：0.1-0.5%、CaO：1-2%、MgO：9-12%、K2O：0.5-1%、Na2O：0.1-0.3%、B2O3：1-3%、P2O5：1-2%；所述砖坯的始熔温度为1130-1160℃，所述砖坯的热膨胀系数为2.5-3.5×10-6K（600～20℃）；所述第一道低膨胀耐磨全抛釉的化学组成包括：以质量百分比计，SiO2：40-45%、Al2O3：25-30%、CaO：2-4%、MgO：9-10%、K2O：0.2-1%、ZnO：1-5%、BaO：3-7%、P2O5：2-4%、B2O3：1-3%；所述第一道低膨胀耐磨全抛釉的始融温度为1110～1140℃，第一道低膨胀耐磨全抛釉的热膨胀系数为3.5-5×10-6K（600～20℃）；所述第二道低膨胀耐磨全抛釉的化学组成包括：以质量百分比计，SiO2：45-50%、Al2O3：20-25%、CaO：2-4%、MgO：7-9%、K2O：0.2-1%、Na2O：0.2-0.6%、ZnO：5-8%、BaO：6.0-10.0%、P2O5：2-4%、B2O3：1-3%；所述第二道低膨胀耐磨全抛釉的始融温度为1060～1110℃，第二道低膨胀耐磨全抛釉的热膨胀系数为5-5.5×10-6K（600～20℃）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 蒙娜丽莎集团股份有限公司 一种低膨胀堇青石晶体耐磨全抛釉陶瓷砖及其制备方法