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申请/专利权人：中国科学院半导体研究所
摘要：本发明提供外延结构逆序生长的半导体可饱和吸收镜及其制备方法。该制备方法包括：在衬底表面依次外延生长腐蚀阻挡层、吸收区和布拉格反射镜层，形成半导体可饱和吸收镜的外延片；在布拉格反射镜层远离衬底的表面制备第一金属膜；将制备有第一金属膜的外延片解理成特定尺寸的芯片后备用；在抛光处理后的热沉表面制备第二金属膜；将芯片上制备有第一金属膜的一侧通过焊料焊接至热沉上制备有第二金属膜的一侧，形成金属层；采用选择性湿法腐蚀工艺，用第一化学试剂去除芯片上的衬底；采用选择性湿法腐蚀工艺，用第二化学试剂去除芯片上的腐蚀阻挡层，完成半导体可饱和吸收镜的制备。
主权项：1.一种外延结构逆序生长的半导体可饱和吸收镜的制备方法，其特征在于，包括：步骤S1，在衬底1的表面依次外延生长腐蚀阻挡层2、吸收区3和布拉格反射镜层4，所述衬底1、腐蚀阻挡层2、吸收区3和布拉格反射镜层4形成所述半导体可饱和吸收镜的外延片；步骤S2，在所述布拉格反射镜层4远离所述衬底1的表面制备第一金属膜；步骤S3，将制备有所述第一金属膜的外延片解理成特定尺寸的芯片后备用；步骤S4，在抛光处理后的热沉6表面制备第二金属膜；步骤S5，将所述芯片上制备有第一金属膜的一侧通过焊料焊接至所述热沉6上制备有第二金属膜的一侧，所述第一金属膜和所述第二金属膜经焊接后形成金属层5；步骤S6，采用选择性湿法腐蚀工艺，用第一化学试剂去除所述步骤S5处理后的芯片上的衬底1；步骤S7，采用选择性湿法腐蚀工艺，用第二化学试剂去除所述步骤S6处理后的芯片上的腐蚀阻挡层2，完成所述半导体可饱和吸收镜的制备。
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权利要求：
百度查询： 中国科学院半导体研究所 外延结构逆序生长的半导体可饱和吸收镜及其制备方法
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