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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司
摘要：本公开涉及MEMS器件以及用于制造MEMS器件的方法。MEMS器件包括形成电容性感测布置的第一电极结构和第二电极结构。MEMS器件包括被布置在第一电极结构和第二电极结构之间对应的多个位置处的多个抗静摩擦凸块。投影到第二电极结构的主表面中的多个位置被分布为以便包括在主表面的第一主表面区域中的第一分布密度，并且以便包括在主表面的第二主表面区域中的不同的第二分布密度，第二主表面区域与第一主表面区域划界。
主权项：1.一种MEMS器件，包括：第一电极结构12和第二电极结构14，形成电容性感测布置；多个抗静摩擦凸块18，被布置在所述第一电极结构12和所述第二电极结构14之间对应的多个位置处22；其中被投影到所述第二电极结构14的主表面14A中的所述多个位置22被分布为以便在所述主表面14A的第一主表面区域281中包括第一分布密度261，并且以便在所述主表面14A的第二主表面区域282中包括不同的第二分布密度262，所述第二主表面区域282与第一主表面区域281划界；其中所述第二分布密度262为零；其中所述第二主表面区域282被所述第一主表面区域281包围；其中所述第一电极结构12和或所述第二电极结构14包括开口34，所述开口34完全形成所述第二主表面区域282；其中所述MEMS器件还包括壳体，所述壳体包括在所述MEMS器件的内部体积与所述MEMS器件的所述壳体外部之间的开口46，其中所述开口46被布置为使得一方面被投影到所述主表面14A中的所述壳体的所述开口46的位置与另一方面所述第二主表面区域282至少部分地重叠；并且其中所述第二主表面区域282的位置和所述壳体的所述开口46的位置在±20％的公差范围内彼此对应，和或其中所述第二主表面区域282的尺寸和所述壳体的所述开口46的尺寸在±20％的公差范围内彼此对应。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英飞凌科技股份有限公司 MEMS器件以及用于制造MEMS器件的方法
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