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一种PSU使用寿命的预测方法、装置、设备及介质 

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申请/专利权人:山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司

摘要:本申请公开了一种PSU使用寿命的预测方法,包括:分别获取PSU中风扇、电解电容和MOSFET的寿命预估函数;获取PSU的运行负载值,以及风扇的第一运行温度值和目标运转速度;基于风扇的寿命预估函数,根据运行负载值、第一运行温度值和目标运转速度确定风扇的第一寿命值;分别获取电解电容和MOSFET的第二运行温度值和第三运行温度值;基于电解电容的寿命预估函数,根据运行负载值和第二运行温度值确定电解电容的第二寿命值;基于MOSFET的寿命预估函数,根据运行负载值和第三运行温度值确定MOSFET的第三寿命值;将三个寿命值中的最短寿命值判定为PSU的使用寿命。通过该方法可以相对准确地评估出PSU的使用寿命。

主权项:1.一种PSU使用寿命的预测方法,其特征在于,包括:分别获取PSU中风扇、电解电容和MOSFET的寿命预估函数,得到第一寿命预估函数、第二寿命预估函数和第三寿命预估函数;获取所述PSU在当前运行状态下的运行负载值,以及所述风扇的第一运行温度值和目标运转速度;基于所述第一寿命预估函数,并根据所述运行负载值、所述第一运行温度值和所述目标运转速度确定所述风扇的使用寿命,得到第一寿命值;分别获取所述电解电容和所述MOSFET在当前运行状态下的第二运行温度值和第三运行温度值;基于所述第二寿命预估函数,并根据所述运行负载值和所述第二运行温度值确定所述电解电容的使用寿命,得到第二寿命值;基于所述第三寿命预估函数,并根据所述运行负载值和所述第三运行温度值确定所述MOSFET的使用寿命,得到第三寿命值;将所述第一寿命值、所述第二寿命值和所述第三寿命值中的最短寿命值判定为所述PSU的使用寿命;预先将所述风扇、所述电解电容和所述MOSFET在出厂时所对应的第一出厂寿命值、第二出厂寿命值和第三出厂寿命值烧录至EEPROM;从所述EEPROM中调取所述第一出厂寿命值、所述第二出厂寿命值和所述第三出厂寿命值,并根据所述第一出厂寿命值、所述第二出厂寿命值、所述第三出厂寿命值、所述第一寿命值、所述第二寿命值和所述第三寿命值分别确定所述风扇、所述电解电容和所述MOSFET在当前运行状态下的剩余使用寿命,得到第一剩余寿命值、第二剩余寿命值和第三剩余寿命值;若所述第一剩余寿命值、所述第二剩余寿命值和所述第三剩余寿命值中的最短寿命值小于预设值,则提示预警信息。

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权利要求:

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