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申请/专利权人：林东晖
摘要：本发明公开了一种稀土钕或镱掺杂YAG激光晶体的键合方法，包括：S1：提供稀土掺杂的YAG激光晶体；S2：提供另一键合晶体；S3：对稀土掺杂的YAG激光晶体表面和另一键合晶体表面进行清洁；S4：对稀土掺杂的YAG激光晶体表面进行湿法刻蚀，以使得稀土掺杂的YAG激光晶体表面形成多个凹陷；S5：对另一键合晶体表面进行湿法刻蚀，以使得另一键合晶体表面形成多个凸起；S6：将具有多个凹陷的稀土掺杂的YAG激光晶体表面与具有多个凸起的另一键合晶体表面贴合以形成层叠体；S7：对层叠体进行加压加热键合。
主权项：1.一种稀土钕或镱掺杂YAG激光晶体的键合方法，其特征在于，所述方法包括：S1：提供稀土掺杂的YAG激光晶体，其中，所述稀土掺杂是钕掺杂或者镱掺杂；S2：提供另一键合晶体；S3：对所述稀土掺杂的YAG激光晶体表面和所述另一键合晶体表面进行清洁；S4：对所述稀土掺杂的YAG激光晶体表面进行湿法刻蚀，以使得所述稀土掺杂的YAG激光晶体表面形成多个凹陷，其中，针对不同种类的另一键合晶体，所述多个凹陷的截面具有不同形状；S5：对所述另一键合晶体表面进行湿法刻蚀，以使得所述另一键合晶体表面形成多个凸起；S6：将具有多个凹陷的稀土掺杂的YAG激光晶体表面与具有多个凸起的另一键合晶体表面贴合以形成层叠体；S7：对所述层叠体进行加压加热键合，其中，所述加压加热键合的工艺为：真空度为1-3Pa，保温时间为4-6h，加热温度为1400-1600℃，晶体表面施加压力为50-70kgcm2，其中，所述另一键合晶体是稀土掺杂的YAG激光晶体，所述稀土掺杂是钕掺杂或者镱掺杂；其中，所述多个凹陷的截面是矩形并且所述多个凸起的截面是矩形；其中，所述多个凹陷在截面上的宽度为30-50nm，其中，所述多个凸起在截面上的宽度为30-50nm，其中，所述多个凹陷在截面上的深度为15-25nm，所述多个凸起在截面上的高度为18-28nm，其中，所述多个凸起在截面上的高度大于所述凹陷在截面上的深度，其中，所述多个凸起在截面上的高度比所述凹陷在截面上的深度至少大3nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 林东晖 一种稀土钕或镱掺杂YAG激光晶体的键合方法
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