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申请/专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种外延结构及其制造方法、半导体器件。外延结构包括：缓冲层，所述缓冲层为多层结构；所述缓冲层包括层叠设置的第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层；所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层中金属组分的含量分别为第一含量ZF1、第二含量ZF2和第三含量ZF3；其中，ZF1、ZF2和ZF3满足如下关系：ZF2＜ZF1，ZF2＜ZF3；或者，ZF2＞ZF1，ZF2＞ZF3。本发明实施例改善了外延结构在外延生长过程中的应力问题，从而改善了外延结构的裂纹和翘曲的问题。
主权项：1.一种外延结构，其特征在于，包括：缓冲层，所述缓冲层为多层结构；所述缓冲层包括层叠设置的第一缓冲层、第二缓冲层和第三缓冲层；所述第一缓冲层、所述第二缓冲层和所述第三缓冲层中金属组分的含量分别为第一含量ZF1、第二含量ZF2和第三含量ZF3；其中，ZF1、ZF2和ZF3满足如下关系：ZF2＜ZF1，ZF2＜ZF3；或者，ZF2＞ZF1，ZF2＞ZF3。
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权利要求：
百度查询： 苏州能讯高能半导体有限公司 外延结构及其制造方法、半导体器件
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