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申请/专利权人:株式会社神户制钢所
摘要:本发明获得一种氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶,其场效应迁移率与应力耐受性优异,并且相对于在对氧化物半导体层进行加工时所使用的湿式蚀刻液而具有优异的湿式蚀刻加工性,且相对于在对源极漏极电极进行图案化时所使用的湿式蚀刻液而氧化物半导体层具有优异的耐湿式蚀刻性。氧化物半导体薄膜包含In、Ga、Zn及Sn、以及O,且相对于In、Ga、Zn及Sn的原子数比的合计,各金属元素的原子数比满足特定条件。
主权项:1.一种氧化物半导体薄膜,包含作为金属元素的In、Ga、Zn及Sn、以及O,且相对于所述In、Ga、Zn及Sn的原子数的合计,各金属元素的原子数比满足0.070≦InIn+Ga+Zn+Sn≦0.2000.250≦GaIn+Ga+Zn+Sn≦0.6000.180≦ZnIn+Ga+Zn+Sn≦0.5500.030≦SnIn+Ga+Zn+Sn≦0.042,并且相对于所述Zn的原子数比,所述Sn的原子数比满足0.10≦SnZn≦0.121,并且所述Sn、In及Ga的原子数比满足Sn×InGa≧0.009。
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百度查询: 株式会社神户制钢所 氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及溅射靶
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