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申请/专利权人:广州华瑞升阳投资有限公司
摘要:本发明提供一种氧化物系半导体MOSFET,具有n型氧化物系半导体层,以及漏电极,源电极,栅电极,介质层。其中所述的氧化物系半导体包括了氧化镓,以氧化镓为例,所述的源电极与n型氧化镓半导体层形成肖特基接触,如此可利用肖特基势垒制备出常关型的氧化镓基MOSFET。
主权项:1.一种氧化物系半导体MOSFET,至少包括:n型氧化物系半导体层,以及漏电极、源电极、栅电极,介质层;其特征在于,所述源电极与所述n型氧化物系半导体层的第一表面形成肖特基接触。
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百度查询: 广州华瑞升阳投资有限公司 氧化物系半导体MOSFET
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