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申请/专利权人：华北理工大学

摘要：本发明提出了一种采用耗尽型NMOS管的快启动LDO电路，涉及集成电路电源管理芯片技术领域，包括电流镜模块、采样滤波模块、负载分压模块、误差放大模块、功率输出模块以及电压启动模块，电流镜模块分别与采样滤波模块、负载分压模块、误差放大模块、功率输出模块以及电压启动模块电性连接；采样滤波模块分别与误差放大模块和电压启动模块电性连接，用于接收第二基准电源输入的基准电压；负载分压模块与误差放大模块电性连接；误差放大模块分别与功率输出模块和电压启动模块电性连接，用于根据驱动信号调节功率输出模块的输出电压；功率输出模块与电压启动模块电性连接，用于提升功率输出模块中的输出电压。本发明有助于缩短LDO电路输出电压的启动时间。

主权项：1.一种采用耗尽型NMOS管的快启动LDO电路，其特征在于，包括电流镜模块1、采样滤波模块2、负载分压模块3、误差放大模块4、功率输出模块5以及电压启动模块6，其中，所述电流镜模块1分别与所述采样滤波模块2、所述负载分压模块3、所述误差放大模块4、所述功率输出模块5以及所述电压启动模块6电性连接，所述电流镜模块1用于复制第一基准电源输入的基准电流并产生与所述基准电流对应的偏置电压，以向所述误差放大模块4供电；所述电流镜模块1包括第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第十NMOS管、第十二NMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第十PMOS管以及第十一PMOS管，所述第六NMOS管的栅极和漏极共同与所述第一基准电源和所述误差放大模块4连接，所述第七NMOS管的栅极和漏极共同连接所述第六NMOS管的源极、所述第八NMOS管的栅极、所述第十NMOS管的栅极以及所述第十二NMOS管的栅极，所述第七NMOS管、所述第八NMOS管、所述第十NMOS管以及所述第十二NMOS管的公共端分别与所述电压启动模块6、所述负载分压模块3以及GND端连接，所述第十NMOS管的漏极和所述第十二NMOS管的漏极均与所述误差放大模块4连接，所述第六PMOS管的栅极和漏极共同与所述第八NMOS的漏极、所述第七PMOS管的栅极、第十PMOS管的栅极以及第十一PMOS管的栅极连接，所述第六PMOS管、所述第七PMOS管、所述第十PMOS管以及所述第十一PMOS管的公共端分别与所述电压启动模块6和所述负载分压模块3连接，所述第七PMOS管的漏极、所述第十PMOS管的漏极以及所述第十一PMOS管的漏极均与所述误差放大模块4连接；所述采样滤波模块2分别与所述误差放大模块4和所述电压启动模块6电性连接，所述采样滤波模块2用于接收第二基准电源输入的基准电压并滤波；所述负载分压模块3与所述误差放大模块4电性连接；所述误差放大模块4分别与所述功率输出模块5和所述电压启动模块6电性连接，所述误差放大模块4用于根据所述采样滤波模块2输出的基准电压和所述负载分压模块3的输出电压生成驱动信号，以使所述快启动LDO电路根据所述驱动信号调节所述功率输出模块5的输出电压；所述负载分压模块3包括第六电阻和第七电阻，所述第六电阻的一端与所述电流镜模块1连接，所述第六电阻的另一端分别与所述误差放大模块4和所述第七电阻的一端连接，所述第七电阻的另一端与所述电流镜模块1连接；所述误差放大模块4包括第八PMOS管、第九PMOS管、第九NMOS管以及第十一NMOS管，所述第八PMOS管的栅极分别与所述采样滤波模块2和所述电压启动模块6连接，所述第八PMOS管和所述第九PMOS管的公共端与所述电流镜模块1连接，所述第八PMOS管的漏极分别与所述第九NMOS管的源极和所述电流镜模块1连接，所述第九PMOS管的漏极分别与所述第十一NMOS管的源极和所述电流镜模块1连接，所述第九PMOS管的栅极和所述负载分压模块3连接，所述第九NMOS管的漏极和所述第十一NMOS管的漏极均与所述电流镜模块1连接；所述功率输出模块5与所述电压启动模块6电性连接，所述电压启动模块6用于提升所述功率输出模块5中的输出电压；所述电压启动模块6包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第八电阻、第九电阻、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管以及第十二PMOS管，所述第一NMOS管的漏极分别与V_setup引脚、第三NMOS管的栅极、所述第三PMOS管的漏极、所述第四NMOS管的漏极、所述第四NMOS管的栅极以及所述第五NMOS管的栅极，所述第一NMOS管、第八电阻、第三NMOS管、第二电阻、第四NMOS管以第五NMOS管的公共端与所述采样滤波模块2电性连接，所述第一NMOS管的栅极与所述第八电阻和所述第一电阻的公共端连接，所述第二NMOS管的漏极和栅极共同与第一电阻的另一端和所述第九电阻的一端连接，所述第二NMOS管的源极与所述第三NMOS管的漏极连接，所述第九电阻的另一端分别与所述第一PMOS管的源极、所述第三电阻的一端、所述第四PMOS管的源极以及所述第五PMOS管的源极连接，所述第二电阻的另一端分别与所述第二PMOS管的漏极、所述第二PMOS管的栅极以及所述第三PMOS管的栅极连接，所述第二PMOS管的源极分别与所述第一PMOS管的漏极和所述第一PMOS管的栅极连接，所述第三电阻的另一端与所述第三PMOS管的源极连接，所述第五NMOS管的漏极分别与所述第四PMOS管的漏极、所述第四PMOS管的栅极、所述第五PMOS管的栅极以及所述第十二PMOS管的栅极连接，所述第五PMOS管的漏极分别与所述采样滤波模块2和所述误差放大模块4连接，所述第十二PMOS管的源极分别与所述电流镜模块1和所述功率输出模块5连接，所述第十二PMOS管的漏极分别与所述电流镜模块1和所述误差放大模块4连接。

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