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申请/专利权人:南京大学
摘要:本发明公开了一种降低AlN外延层缺陷的外延生长方法。在金属有机化学气相沉积MOCVD方法外延AlN外延层中,首先制备AlN纳米图形化结构,然后在AlN纳米图形化结构上经过三步外延,大幅降低外延层中的位错缺陷,最终可在纳米级厚度获得表面平整,内部无空隙,位错密度极低的AlN外延层。这种在纳米图形化结构上的多步外延方法,形成多种外延晶面,可以快速偏折位错缺陷的延伸方向到水平方向,不仅可以在较低的生长厚度下达到低位错缺陷密度,而且可以获得平整的表面形貌。本发明方法采用的工艺步骤与常规MOCVD晶体外延工艺相兼容,适用于与AlN相关的高质量材料制备工艺体系。
主权项:1.一种降低AlN外延层缺陷的外延生长方法,其特征在于其步骤包括:1在衬底上制备纳米图形化AlN层;2在纳米图形化AlN层上低温生长AlN层A层3在A层上中温生长AlN层B层;4在B层上高温生长AlN层C层;其中低温生长的温度范围为900℃~1000℃,中温生长的温度范围为1000℃~1100℃,高温生长的温度范围为1100℃~1200℃,且各阶段温差不低于50℃。
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百度查询: 南京大学 一种降低AlN外延层缺陷的外延生长方法
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