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申请/专利权人:艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司
摘要:本发明公开了一种光电半导体构件1,其包括至少局部辐射透射的框架体20和至少一个第一半导体芯片11,其设置用于发射第一电磁辐射。框架体20具有留空部210。至少一个第一波导体31构造在框架体20中。第一波导体31的第一耦合输入面31A构造在留空部210的朝向第一半导体芯片11的侧面上。耦合输出面20B构造在框架体20的外面上。第一半导体芯片10布置在留空部210中,使得第一电磁辐射的至少一部分入射到第一波导体31中。此外,本发明公开了用于制造多个光电半导体构件1的方法。
主权项:1.一种光电半导体构件1,包括至少局部辐射透射的框架体20和至少一个第一半导体芯片11,所述第一半导体芯片设置用于发射第一电磁辐射,其中,-所述框架体20具有留空部210,-至少一个第一波导体31构造在所述框架体20中,-所述第一波导体31的第一耦合输入面31A构造在所述留空部210的朝向所述第一半导体芯片11的侧面处,-耦合输出面20B构造在所述框架体20的外面上,-所述第一半导体芯片10布置在所述留空部210中,使得所述第一电磁辐射的至少一部分入射到所述第一波导体31中。
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百度查询: 艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司 光电半导体构件和用于制造多个光电半导体构件的方法
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