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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：提供了半导体存储器装置。一种半导体存储器装置包括：源极层；沟道结构，其从源极层内在第一方向上延伸；源极‑沟道接触层，其在源极层上围绕沟道结构；第一选择栅极层，其与源极‑沟道接触层交叠并围绕沟道结构；层叠物，其包括在第一方向上交替地层叠并且围绕沟道结构的层间绝缘层和导电图案，层叠物与第一选择栅极层交叠；以及第一绝缘图案，其形成为在第一选择栅极层和沟道结构之间比在层叠物和沟道结构之间更厚。
主权项：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：第一选择栅极层；层叠物，所述层叠物包括在所述第一选择栅极层上方在第一方向上交替地设置的层间绝缘层和字线；以及绝缘图案，所述绝缘图案在所述第一方向上延伸，以覆盖所述第一选择栅极层的侧壁和所述层叠物的侧壁，其中，所述绝缘图案包括覆盖所述第一选择栅极层的侧壁的第一部分和从所述第一部分延伸以覆盖所述字线中的每一条字线的侧壁的第二部分，并且其中，所述第一部分比所述第二部分更厚。
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权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体存储器装置
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