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申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要:本发明提供一种半导体器件及其形成方法、半导体结构,其中半导体器件包括:衬底;位于衬底上的屏蔽层,屏蔽层与衬底电连接,屏蔽层包括若干第一区和位于相邻第一区之间的第二区,若干第一区围绕屏蔽层的中心均匀分布,第一区上具有第一图案化接地屏蔽结构,第二区上具有第二图案化接地屏蔽结构,第一图案化接地屏蔽结构和第二图案化接地屏蔽结构不同;位于衬底表面的接地环,接地环环绕屏蔽层且与屏蔽层电连接,满足射频集成电路的工艺需求。
主权项:1.一种半导体器件,其特征在于,包括:衬底;位于所述衬底上的屏蔽层,所述屏蔽层与所述衬底电连接,所述屏蔽层包括若干第一区和位于相邻所述第一区之间的第二区,若干所述第一区围绕所述屏蔽层的中心均匀分布,所述第一区上具有第一图案化接地屏蔽结构,所述第二区上具有第二图案化接地屏蔽结构,所述第一图案化接地屏蔽结构和所述第二图案化接地屏蔽结构不同;位于所述衬底表面的接地环,所述接地环环绕所述屏蔽层且与所述屏蔽层电连接。
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百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体器件及形成方法、半导体结构
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