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半导体器件 

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申请/专利权人:东莞新科技术研究开发有限公司

摘要:本发明公开了一种半导体器件,包括衬底、过渡层和保护层;其中,所述衬底包括基体和至少一个凸起结构,所述凸起结构设置在所述基体上;所述过渡层设于所述衬底的具有所述凸起结构的一面之上,所述保护层设于所述过渡层之上;所述过渡层的主要成分与所述保护层的主要成分相同,所述过渡层的表面粗糙度RMS为0.6‑1.6nm。本发明实施例通过保护层对衬底起到良好的保护作用,并且,保护层不易脱落。

主权项:1.一种半导体器件,其特征在于,包括衬底、过渡层和保护层;其中,所述衬底包括基体和至少一个凸起结构,所述凸起结构设置在所述基体上;所述过渡层设于所述衬底的具有所述凸起结构的一面之上,所述保护层设于所述过渡层之上;所述过渡层的主要成分与所述保护层的主要成分相同,所述过渡层的表面粗糙度RMS为0.6-1.6nm。

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