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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种半导体器件可以包括：衬底，其包括单元区和外围电路区；位于衬底的单元区中的第一栅极结构，第一栅极结构在平行于衬底的上表面的第一方向上延伸；位线结构，其位于衬底的单元区上，位线结构在垂直于第一方向且平行于衬底的上表面的第二方向上延伸；第二栅极结构，其位于衬底的外围电路区上；位于位线结构之间的接触插塞结构，接触插塞结构接触衬底；位于衬底的外围电路区上的第一导电结构，第一导电结构电连接到衬底的外围电路区；位于第一导电结构之间的第一上绝缘结构，第一上绝缘结构包括第一上绝缘图案以及包围第一上绝缘图案的底部和侧壁的氢扩散绝缘图案；以及位于接触插塞结构的上部部分之间的第二上绝缘图案。
主权项：1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括单元区和外围电路区；第一栅极结构，所述第一栅极结构位于所述衬底的所述单元区中，所述第一栅极结构在平行于所述衬底的上表面的第一方向上延伸；位线结构，所述位线结构位于所述衬底的所述单元区上，所述位线结构在垂直于所述第一方向且平行于所述衬底的所述上表面的第二方向上延伸；第二栅极结构，所述第二栅极结构位于所述衬底的所述外围电路区上；接触插塞结构，所述接触插塞结构位于所述位线结构之间，所述接触插塞结构接触所述衬底；第一导电结构，所述第一导电结构位于所述衬底的所述外围电路区上，所述第一导电结构电连接到所述衬底的所述外围电路区；第一上绝缘结构，所述第一上绝缘结构位于所述第一导电结构之间，所述第一上绝缘结构包括第一上绝缘图案以及包围所述第一上绝缘图案的底部和侧壁的氢扩散绝缘图案；以及第二上绝缘图案，所述第二上绝缘图案位于所述接触插塞结构的上部部分之间。
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