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申请/专利权人：联合微电子中心有限责任公司
摘要：一种硅光调制器及其形成方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面进行刻蚀以得到脊型结构，所述脊型结构具有相邻的P型掺杂区域以及N型掺杂区域，其中，由相邻位置起，所述P型掺杂区域以及N型掺杂区域均依次包括第一浓度掺杂区、第二浓度掺杂区、第三浓度掺杂区，且从第一浓度掺杂区至第三浓度掺杂区的掺杂浓度依次增大；其中，沿所述脊型结构的轴向方向，所述P型掺杂区域以及N型掺杂区域的第一浓度掺杂区的掺杂宽度逐渐减小。本发明可以在沿脊型结构的轴向方向上，保持PN结性能参数的稳定，从而保证调制器沿轴向有均匀的特征阻抗和群折射率，进而提高调制器的调制效率、器件带宽及整体性能。
主权项：1.一种硅光调制器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的表面进行刻蚀以得到脊型结构，所述脊型结构具有相邻的P型掺杂区域以及N型掺杂区域，其中，由相邻位置起，所述P型掺杂区域以及N型掺杂区域均依次包括第一浓度掺杂区、第二浓度掺杂区、第三浓度掺杂区，且从第一浓度掺杂区至第三浓度掺杂区的掺杂浓度依次增大；其中，沿所述脊型结构的轴向方向，所述P型掺杂区域以及N型掺杂区域的第一浓度掺杂区的掺杂宽度逐渐减小。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联合微电子中心有限责任公司 硅光调制器及其形成方法
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