龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本公开提供了一种垂直沟道三维堆叠器件及其制备方法，该器件包括：衬底；膜层单元，膜层单元包括依次堆叠设置的第一绝缘层、第一电极层、第二绝缘层、第二电极层以及第三绝缘层；栅极结构；围绕栅极结构侧壁设置的栅极介质层；围绕栅极介质层侧壁设置的第一间隔层和第二间隔层，第一间隔层与第一电极层同层设置，第二间隔层与第二电极层同层设置；围绕栅极介质层、第一间隔层以及第二间隔层设置的沟道层，沟道层还设置在栅极结构与第一绝缘层远离衬底一侧的表面之间。本公开利用垂直沟道内设置的第一间隔层和第二间隔层来增加栅极结构和第一电极层、第二电极层之间的间距，进而达到降低寄生电容的目的。
主权项：1.一种垂直沟道三维堆叠器件，其特征在于，至少包括：衬底；设置在所述衬底一侧表面的膜层单元，所述膜层单元至少包括依次堆叠设置的第一绝缘层、第一电极层、第二绝缘层、第二电极层以及第三绝缘层，所述第一绝缘层位于所述膜层单元中靠近所述衬底的一侧，所述第三绝缘层位于所述膜层单元中远离所述衬底的一侧；同时贯穿所述第一电极层、所述第二绝缘层、所述第二电极层以及所述第三绝缘层的栅极结构；围绕所述栅极结构侧壁设置的栅极介质层；围绕所述栅极介质层侧壁设置的第一间隔层和第二间隔层，其中，所述第一间隔层与所述第一电极层同层设置，所述第二间隔层与所述第二电极层同层设置；围绕所述栅极介质层、所述第一间隔层以及所述第二间隔层设置的沟道层，所述沟道层还设置在所述栅极结构与所述第一绝缘层远离所述衬底一侧的表面之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种垂直沟道三维堆叠器件及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号