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申请/专利权人：北京燕东微电子科技有限公司
摘要：本发明提供了一种NMOS结构及其制备方法、半导体器件，NMOS结构的衬底具有互补的第一区域和第二区域，第一区域表面形成有场氧化层，第二区域表面形成有薄氧层，第二区域内设有源极区和漏极区，源极区和漏极区之间形成沟道；薄氧层上覆盖设置有栅极；其中，薄氧层包括第一薄氧层和第二薄氧层；沿沟道宽度方向，第二薄氧层连接于第一薄氧层的两侧并与第一薄氧层共同形成至少一个封闭的环状结构，每一环状结构覆盖源极区或漏极区，以将包围源极区或漏极区的场氧化层分隔为不连接的至少两部分，使源极区和漏极区之间不会形成穿过场氧化层的漏电通道，降低了NMOS结构以及CMOS器件及其集成电路的功耗，提高NMOS结构以及CMOS集成电路的可靠性。
主权项：1.一种NMOS结构，其特征在于，包括衬底，所述衬底具有互补的第一区域和第二区域，所述第一区域表面形成有场氧化层，所述第二区域表面形成有薄氧层，所述薄氧层的厚度小于所述场氧化层的厚度，所述第二区域内设有源极区和漏极区，所述源极区和漏极区之间形成沟道；所述薄氧层上设置有栅极；其中，所述薄氧层包括第一薄氧层和第二薄氧层，所述第一薄氧层覆盖所述源极区、所述漏极区和所述沟道；沿沟道宽度方向，所述第二薄氧层连接于所述第一薄氧层的两侧并与第一薄氧层共同形成至少一个封闭的环状结构，每一所述环状结构覆盖所述源极区或所述漏极区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京燕东微电子科技有限公司 NMOS结构及其制备方法、半导体器件
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