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用于半导体器件制造的玻璃沉积的方法 

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申请/专利权人:力特半导体(无锡)有限公司

摘要:本发明涉及用于半导体器件制造的玻璃沉积的方法,公开了用于在晶圆中制造半导体器件期间用电玻璃电镀晶圆的技术。通过掺杂晶圆的隔离结构的表面区域在晶圆中形成导电网络。隔离结构将半导体器件在晶圆中彼此横向地隔离。在晶圆中形成导电网络之后,在晶圆的一个或多个电镀区域的每一个之上形成相应镀层的玻璃沉积。

主权项:1.一种在晶圆中制造半导体器件期间用电玻璃电镀晶圆的方法,所述方法包括:通过用掺杂剂掺杂所述晶圆的隔离结构的表面区域,在所述晶圆中形成导电网络,其中,所述隔离结构在所述晶圆中将所述半导体器件彼此横向地隔离,所述晶圆包括衬底层;以及在所述晶圆中形成所述导电网络之后,对于所述晶圆的一个或多个电镀区域中的每一个,在相应的电镀区域之上形成相应镀层的玻璃沉积,所述相应镀层包括电玻璃。

全文数据:

权利要求:

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