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申请/专利权人：安徽格恩半导体有限公司
摘要：本发明公开了一种GaN基半导体激光器，涉及半导体光电器件技术领域，该半导体激光器，包括从下到上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，所述下限制层与下波导层之间具有第一热反转抑制层。本发明所提出的半导体激光器，通过在所述下限制层与下波导层之间设置有第一热反转抑制层，以及在上限制层与上波导层之间设置有第二热反转抑制层，从而提升声子输运效率，抑制有源层的缺陷产生以及抑制有源层热退化，降低非辐射复合中心，提升散热效率，降低热失配，从而改善激光器的热反转问题，降低阈值电流，提升光功率和斜率效率。
主权项：1.一种GaN基半导体激光器，包括从下到上依次设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层和上限制层，其特征在于，所述下限制层与下波导层之间具有第一热反转抑制层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安徽格恩半导体有限公司 一种GaN基半导体激光器
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