龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：江西萨瑞微电子技术有限公司
摘要：本发明公开了一种双向TVS芯片及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，该制备方法包括：提供一P型衬底；对P型衬底的其中一个表面进行金属离子注入，形成离子层；按照离子层的外缘对P型衬底进行蚀刻，形成位于P型衬底表面的隔离槽，并且在隔离槽内填充绝缘材料以形成第一绝缘层；以离子层为阻挡层，对P型衬底进行磷元素注入，形成位于离子层之上的第一N型扩散层，以及位于P型衬底外侧区域的第二N型扩散层；在P型衬底的表面，沉积与第一绝缘层接触的第二绝缘层，且第二绝缘层的两端分别抵靠至第一N型扩散层与第二N型扩散层。本发明旨在提供双向防护、单向绝缘的TVS芯片，从而降低TVS芯片的失效率。
主权项：1.一种双向TVS芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一P型衬底；按照预设的掩膜版，对所述P型衬底的其中一个表面进行金属离子注入，以在所述P型衬底内侧区域的预设深度范围内形成离子层，暴露出外侧区域的P型衬底；按照所述离子层的外缘对所述P型衬底进行蚀刻，形成位于所述P型衬底表面的隔离槽，并且在所述隔离槽内填充绝缘材料以形成第一绝缘层；以所述离子层为阻挡层，对所述P型衬底进行磷元素注入，形成位于所述离子层之上的第一N型扩散层，以及位于所述P型衬底外侧区域的第二N型扩散层；在所述P型衬底的表面，沉积与所述第一绝缘层接触的第二绝缘层，且所述第二绝缘层的两端分别抵靠至所述第一N型扩散层与所述第二N型扩散层；其中，所述第一N型扩散层用于连接第一金属电极，所述第二N型扩散层用于连接第二金属电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江西萨瑞微电子技术有限公司 一种双向TVS芯片及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号