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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明提供一种高功率密度的TVS器件结构及相应的制造方法，该高功率密度TVS器件结构由两个或多个基本结构单元通过金属串联而成，所述基本结构单元由具有深沟槽形N+的硅基NPN结构和位于该硅基NPN结构上方的被隔离介质区隔开的两个或多个多晶硅NPN结构组成，上述硅基NPN结构和多晶硅NPN结构通过金属并联在一起；所述两个基本结构单元分别位于N型深阱区中，所述的两个N型深阱区中间由P型深阱区实现电学隔离，并在P型深阱区内部上方加入P+区以提高隔离区性能。本发明通过对TVS器件结构和制造工艺的优化设计，提高TVS器件的过电流能力，增大TVS器件在单位面积下能够承受的最大瞬态脉冲功率。
主权项：1.一种高功率密度TVS器件，其特征在于：由至少两个基本结构单元通过第二金属铝区502串联堆叠而成；所述基本结构单元由具有深沟槽形N+的硅基NPN结构和位于该硅基NPN上方的被介质区701隔离的两个多晶硅NPN结构组成，上述硅基NPN结构和多晶硅NPN结构通过金属钨和金属铝并联在一起；介质区701位于N型衬底001上方，其下边缘与N型衬底001上边缘相切；所述两个基本结构单元中的硅基NPN结构分别位于第一N型深阱区101和第二N型深阱区102中，第一N型深阱区101和第二N型深阱区102中间由第一P型深阱区111实现电学隔离，并在第一P型深阱区111内部上方加入第一P+区311以提高隔离区性能。第一N型深阱区101、第二N型深阱区102和第一P型深阱区111位于N型衬底001内部，其上边缘与N型衬底001上边缘相切，其下边缘高于N型衬底001下边缘；其中，第一N型深阱区101与第一P型深阱区111相邻且第一N型深阱区101位于第一P型深阱区111左侧，第一P型深阱区111与第二N型深阱区102相邻且第一P型深阱区111位于第二N型深阱区102左侧；第一P+区311位于第一P型深阱区111内部，其上边缘与第一P型深阱区111上边缘相切，其下边缘高于第一P型深阱区111下边缘。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种高功率密度TVS器件及其制造方法
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