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申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明提供一种挖槽STR‑TVS器件结构及其制造方法，该挖槽STR‑TVS器件结构由两个可扩展至多个基本结构单元通过金属串联而成，所述基本结构单元由具有深沟槽形N+的硅基NPN结构组成；所述基本结构单元分别位于N型深阱区中，所述的两个N型深阱区中间由第一P型深阱区实现电学隔离。本发明通过对TVS器件的发射区与集电区进行沟槽设计，提高了TVS器件的功率密度，增大了TVS器件在单位面积下能够承受的最大瞬态脉冲功率。
主权项：1.一种挖槽STR-TVS器件，其特征在于包括：N型衬底001，第一N型深阱区101，第二N型深阱区102，第一P型深阱区111，第一P型阱区201，第二P型阱区202，第一N+区301，第二N+区302，第三N+区303，第四N+区304，第一金属钨区401，第二金属钨区402，第三金属钨区403，第四金属钨区404，第一金属铝区501，第二金属铝区502，第三金属铝区503，介质区601；具体的：上述挖槽抗辐照STR-TVS器件结构由至少两个基本结构单元通过第二金属铝区502串联堆叠组成；所述基本结构单元由具有深沟槽形N+的硅基NPN结构组成，硅基NPN结构包括第一N+区301、第二N+区302和第一P型阱区201，其中第一N+区301、第二N+区302位于第一P型阱区201中；所述两个基本结构单元分别位于第一N型深阱区101和第二N型深阱区102中，所述的两个N型深阱区中间由第一P型深阱区111实现电学隔离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种挖槽STR-TVS器件及其制造方法
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