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申请/专利权人:格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要:本公开涉及具有邻近器件沟道的竖直渐变硅锗区的IC器件及形成方法。公开了一种集成电路IC器件,其包括位于衬底上方的第一晶体管。第一晶体管包括位于衬底上方且在源极区和漏极区之间的栅极。晶体管还包括与栅极下方的沟道的第一侧相邻的第一竖直渐变硅锗SiGe区,以及与沟道的第二侧相邻的第二竖直渐变SiGe区。沟道包括基本均匀渐变的SiGe。
主权项:1.一种集成电路IC器件,包括:衬底;以及位于所述衬底上方的第一晶体管,其包括:栅极,其位于所述衬底上方且在源极区和漏极区之间;与所述栅极下方的沟道的第一侧相邻的第一竖直渐变硅锗SiGe区;以及与所述沟道的第二侧相邻的第二竖直渐变SiGe区,其中,所述沟道包括基本均匀渐变的SiGe。
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百度查询: 格芯(美国)集成电路科技有限公司 具有邻近器件沟道的竖直渐变硅锗区的IC器件及形成方法
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