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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种三维堆叠场效应晶体管可以包括：包括第一后侧电源线和第二后侧电源线的后侧布线层、在后侧布线层上的第一场效应晶体管、在第一场效应晶体管上方的第二场效应晶体管、在第二场效应晶体管上方的前侧布线层、将第一场效应晶体管连接到第二场效应晶体管的第一贯通电极、以及连接前侧电源线和后侧电源线的第二贯通电极。前侧布线层可以在第一方向上延伸，并且可以包括连接到第二后侧电源线的前侧电源线。第一场效应晶体管和第二场效应晶体管可以共享在第二方向上延伸的栅极。第一场效应晶体管和第二场效应晶体管中的每一个可以包括在第一方向上分别位于栅极的两侧的源极和漏极、以及在源极和漏极之间并且被栅极围绕的沟道。
主权项：1.一种三维堆叠场效应晶体管，包括：后侧布线层，其包括各自在第一方向上延伸的第一后侧电源线和第二后侧电源线；第一场效应晶体管，其位于所述后侧布线层上；第二场效应晶体管，其位于所述第一场效应晶体管上方；前侧布线层，其位于所述第二场效应晶体管上方，所述前侧布线层在所述第一方向上延伸，并且所述前侧布线层包括连接到所述第二后侧电源线的前侧电源线；第一贯通电极，其将所述第一场效应晶体管连接到所述第二场效应晶体管；以及第二贯通电极，其将所述前侧电源线连接到所述第二后侧电源线，其中所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管共享在第二方向上延伸的栅极，所述第二方向垂直于所述第一方向，并且所述第一场效应晶体管和所述第二场效应晶体管中的每一个包括在所述第一方向上分别位于所述栅极的两侧的源极和漏极、以及位于所述源极和所述漏极之间并且被所述栅极围绕的沟道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 三维堆叠场效应晶体管
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