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申请/专利权人:爱思开海力士有限公司
摘要:本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括:支撑件,其包括多个台阶;栅极结构,其包括层叠在支撑件上的栅极线,其中栅极线包括焊盘,并且焊盘设置在多个台阶上方;第一接触插塞,其连接到焊盘;以及沟道结构,其延伸穿过栅极结构。
主权项:1.一种半导体装置,所述半导体装置包括:支撑件,所述支撑件包括多个台阶;栅极结构,所述栅极结构包括层叠在所述支撑件上的栅极线,其中,所述栅极线分别包括焊盘,并且所述焊盘分别设置在所述多个台阶上方;第一接触插塞,所述第一接触插塞分别连接到所述焊盘;以及沟道结构,所述沟道结构延伸穿过所述栅极结构。
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权利要求:
百度查询: 爱思开海力士有限公司 半导体装置及制造半导体装置的方法
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