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申请/专利权人：曾泽斌
摘要：本发明公开了在碳化硅衬底片生长外延层的电阻加热外延炉及生长方法。电阻加热外延炉，从左到右依次为装片腔、传输腔、生长室；传输腔的一侧设有冷却腔，装片腔内设有片座一，冷却腔内设有片座二，传输腔内设有叉形机械手，连接颈内设有装片通道；生长室从上到下分为上炉体、下炉体；上炉体和或下炉体内至少设有一个电阻加热器；上炉体的上方设有转轴旋转装置，转轴旋转装置设有转轴，转轴的底部设有托柄；托柄用于固定承载环；下炉体从上到下设有上壁板、基座，上壁板、托柄、基座之间围成一个外延生长区，装片通道与外延生长区相连通。本发明有效解决了碳化硅外延片制作过程中容易产生包裹物缺陷的难题，提高了外延片的电阻率和厚度均匀性。
主权项：1.一种在碳化硅衬底片生长外延层的电阻加热外延炉，其特征是，从左到右依次为装片腔（3）、传输腔（5）、生长室（15）；传输腔（5）的一侧设有冷却腔（1），装片腔（3）内设有片座一（4），冷却腔（1）内设有片座二（2），传输腔（5）内设有叉形机械手（6），连接颈（16）内设有装片通道（9）；生长室（15）从上到下分为上炉体（20）、下炉体（17）；上炉体（20）和或下炉体（17）内至少设有一个电阻加热器；所述的下炉体（17）外壁设有氢气与外延生长气进气口（10）和出气口（14），与外延生长区（23）相连通；上炉体（20）的上方设有转轴旋转装置（26），转轴旋转装置（26）设有转轴（25），转轴（25）的底部设有托柄（29）；托柄（29）用于固定承载环（35），承载环（35）用于固定抛光正面（46）朝下的衬底片（31）；转轴旋转装置（26）与转轴升降装置（27）相连，转轴升降装置（27）的上立柱（28）位于上炉体（20）的上表面；下炉体（17）从上到下设有上壁板（18）、基座（11），上壁板（18）、托柄（29）、基座（11）之间围成一个外延生长区（23），下炉体（17）的左侧壁开孔，设有连接颈（16），形成装片通道（9），装片通道（9）与外延生长区（23）相连通；连接颈（16）的外端设有生长室法兰（8），生长室法兰（8）与传输腔法兰（7）相连。
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